INN3165C-H114-TL

InnoSwitch3 器件将高压功率 MOSFET / PowiGaN 开关、原边和副边控制器、创新的高速磁耦合通信技术以及同步整流驱动器集成于一个具备隔离功能且符合安全标准的器件中。Fluxlink 技术可安全可靠地跨越隔离屏障传输信息，因此无需在传统电源转换电路的反馈回路中使用光耦合器。这不仅减少了元件数量，还消除了光反馈器件固有的寿命和可靠性限制。InnoSwitch3 集成电路采用可变频率、可变峰值电流控制方案，结合准谐振开关和同步整流技术，确保在整个负载范围内实现极高的转换效率。该系列产品可用于创建输出功率高达 100 W 的电源，包括恒压/恒流 (CV/CC) 充电器，轻松满足平均电源效率要求，且空载输入功率极低，待机性能出色。InnoSwitch3 集成电路采用了 Power Integrations 的 EcoSmart 技术，可实现空载功耗低至 15 mW 的设计，使其非常适合必须满足能效标准的应用，如美国能源部 (DoE) 6 级标准、加利福尼亚能源委员会 (CEC) 标准和欧洲行为准则。 InnoSwitch3 中的原边反激式控制器可在 DCM、QR 和 CCM 开关模式之间无缝切换。原边控制器包括启动电路、频率抖动振荡器、与副边磁耦合的接收电路、电流限制控制器、可听噪声降低引擎、过压检测电路、无损输入线路检测电路、过温保护以及 650 V 或 725 V 功率 MOSFET / 750 V PowiGan。 InnoSwitch3 副边控制器包括与原边磁耦合的发射电路、恒压 (CV) 和恒流 (CC) 控制电路、同步整流 MOSFET 驱动器、QR 模式电路以及一系列集成保护功能，包括输出过压、过载、功率限制和迟滞热过载保护。 启动时，原边控制器的最大开关频率限制为 25 kHz，最大编程电流限制为 70%。在过载、短路或开环故障条件下，自动重启功能可限制开关 MOSFET / PowiGaN、变压器和输出 SR MOSFET 的功耗。