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MSCSM120AM31CTBL1NG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MSCSM120AM31CTBL1NG

MSCSM120AM31CTBL1NG

商品型号
MSCSM120AM31CTBL1NG
商品编号
C17284249
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
属性参数值
连续漏极电流(Id)79A
耗散功率(Pd)310W

商品概述

MSCSM120AM31CTBL1NG器件是一款相臂1200 V/79 A碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。除非另有说明,所有额定值均在结温T_J = 25~°C条件下给出。该器件对静电放电敏感,必须遵循正确的处理程序。

商品特性

  • 碳化硅功率MOSFET:低导通电阻(RDS(on)),高速开关
  • 碳化硅肖特基二极管:零反向恢复,零正向恢复,开关行为与温度无关,正向电压(V_F)具有正温度系数
  • 极低的杂散电感
  • 超轻重量和超薄外形
  • 开尔文源极,便于驱动
  • 采用厚铜Si₃N₄衬底,提高热性能
  • 内置热敏电阻,用于温度监测
  • 扩展的温度范围

应用领域

高可靠性电源系统、高效AC/DC和DC/AC转换器、电机控制

数据手册PDF