- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VOS618A-8T
DC 3.75kV
- 描述
- VOS618A系列采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VOS618A-8T
- 商品编号
- C17283685
- 商品封装
- SOIC-4-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 120mV@1mA,0.25mA | |
| 上升时间(tr) | 5us | |
| 下降时间 | 7us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 130% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 260% | |
| 总功耗(Pd) | 170mW | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
VOS618A系列包含一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50 mil的迷你扁平封装。 该系列产品在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 低输入电流下具有高电流传输比（CTR）
- 薄型封装（半间距）
- 高集电极 - 发射极电压，VCEO = 80 V
- 隔离测试电压 = 3750 VRMS
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
- 1178-0-01-80-00-00-03-0
- MUR120SH
- 56402403334F
- 8302401ZA
- SG-8018CA 50.3333M-TJHSA0
- 0915-0-00-34-00-00-03-0
- SPHWH1L5N605YEV5A2
- SIT1602BC-11-18S-24.000000
- GEN4-ULCD-43D-CLB-SB
- SIT1602BC-83-XXS-28.636300
- SIT8008BC-22-XXN-80.000000
- M83513/31-D03NT
- SG-8018CA 144.8000M-TJHPA0
- SG-8018CE 42.0000M-TJHSA0
- 20021221-00030C8LF
- 12911
- 1731070361
- SG-8018CB 24.4959M-TJHSA0
- DA15SVT
- TFM-108-01-L-D-RE2-WT
- 662-015-264-007