商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.17V@15V,300A(Typ) | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 采用具有正温度系数的1200 V IGBT沟槽和场截止技术，符合RoHS标准
- 低开关损耗
- 最高结温175℃
- 具备10 μs短路能力
- 低电感外壳
- 带有软反向恢复功能的HEXFRED反并联和串联二极管
- 使用DCB（直接铜键合）技术的隔离铜基板
- 速度4 kHz至30 kHz
- 可直接安装到散热器上