商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态电流(It) | 200mA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
GA100系列辐射硬化可控硅旨在提供比具有相同电流处理能力的传统可控硅或晶体管显著更高的辐射耐受性。该系列器件能够在暴露于1015 NVT辐射剂量后继续工作。GA100系列器件的抗辐射特性使其特别适用于辐射环境下的点火电路、逆变器和转换器、脉冲发生器、继电器驱动器以及调制放电开关。
商品特性
- 针对辐射耐受性进行优化
- 针对“最坏情况”设计进行全面表征
- 规定了辐射后的设计限值
- 采用钝化平面结构，以实现最高可靠性和参数均匀性
- 脉冲电流：可达30A
- 在3×10¹⁴ NVT辐射后，最大触发电流为20mA
- 在3×10¹⁴ NVT辐射后，最大维持电流为30mA
应用领域
- 点火电路
- 逆变器和转换器
- 脉冲发生器
- 继电器驱动器
- 调制放电开关
- DC12.2102.001
- 620AS028Z128L
- 5-641215-6
- TW-DONGLE-USB
- SIT1602BC-82-33N-74.175824
- 5710120F
- M83723/60-112AC
- SIT8208AC-23-28E-66.666000
- SIT1602BC-72-18E-12.000000
- SIT1602BI-12-XXS-30.000000
- SIT9365AI-2E1-25E106.250000
- 1N3208R
- CA3059-G
- 660-018M24R5-74
- 688-108NF07
- AFBR-S4KTIA3325B
- LTH5MM12VFR4700
- SIT8208AI-22-25S-26.000000
- THA302M060AD0C
- RL1006-157K-155-D1
- H3155-01