AS4C128M16D2A-25BAN

2Gb DDR2是一种高速CMOS双数据速率二代（DDR2）同步动态随机存取存储器（SDRAM），具有16位宽数据输入/输出，总容量为2048 Mbits。其内部配置为8个存储体的DRAM，即8个存储体×16Mb地址×16个输入/输出。该器件设计符合DDR2 DRAM的关键特性，如带附加延迟的后置列地址选通（CAS#）、写延迟 = 读延迟 - 1、片外驱动器（OCD）阻抗调整和片上终端（ODT）。所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有输入/输出与一对双向选通信号（DQS和DQS#）以源同步方式同步。地址总线以行地址选通（RAS#）、列地址选通（CAS#）复用方式传递行、列和存储体地址信息。访问从激活存储体命令的注册开始，然后是读或写命令。对DDR2 SDRAM的读写访问以4位或8位突发方式进行；访问从选定位置开始，并按编程顺序连续访问指定数量的位置。以交错方式操作四个存储体，可实现比标准DRAM更高的随机访问速率。可启用自动预充电功能，在突发序列结束时启动自定时行预充电。根据突发长度、列地址选通延迟和器件速度等级，可实现连续无间隙的数据速率。在正常操作之前，DDR2 SDRAM必须进行初始化。

• 符合JEDEC标准
• JEDEC标准1.8V输入/输出（与SSTL_18兼容）
• 符合AEC - Q100标准
• 电源：VDD和VDDQ = +1.8V ± 0.1V
• 工作温度：TC = -40 ~ 105°C（汽车级）
• 支持JEDEC时钟抖动规范
• 完全同步操作
• 快速时钟速率：400MHz
• 差分时钟，CK和CK#
• 双向单/差分数据选通 - DQS和DQS#
• 8个内部存储体用于并发操作
• 4位预取架构
• 内部流水线架构
• 预充电和主动掉电
• 可编程模式和扩展模式寄存器
• 后置CAS#附加延迟（AL）：0、1、2、3、4、5、6
• 写延迟 = 读延迟 - 1个时钟周期
• 突发长度：4或8
• 突发类型：顺序/交错
• DLL启用/禁用
• 片外驱动器（OCD）
• 阻抗调整
• 可调数据输出驱动强度
• 片上终端（ODT）
• 符合RoHS标准
• 自动刷新和自刷新
• 不支持温度TC > 95°C时的自刷新功能
• 平均刷新周期：
  • 8192周期/64ms（-40°C ≤ Tc ≤ +85°C时为7.8μs）
  • 8192周期/16ms（+85°C ≤ TC ≤ +105°C时为1.95μs）
• 84引脚8×12.5×1.2mm（最大）FBGA封装
• 无铅和无卤素