PJQ4848P-AU_R2_000A1
2个N沟道 耐压:40V 电流:37A 电流:9A
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ4848P-AU_R2_000A1
- 商品编号
- C17276762
- 商品封装
- DFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
适用于基站应用的380 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为2496 MHz至2690 MHz。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10 V、漏极电流(ID)为8 A时,导通电阻[RDS(ON)] < 15 mΩ
- 栅源电压(VGS)为4.5 V、漏极电流(ID)为6 A时,导通电阻[RDS(ON)] < 20 mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
应用领域
- 用于2496 MHz至2690 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器
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