商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 695W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 220A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V,150A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
商品概述
六管封装XPT IGBT，V_CES = 1200 V，I_C25 = 220 A，V_CE(sat) = 1.8 V，产品型号为MIXA150W1200TEH
商品特性
- 由于导通状态电压的正温度系数，易于并联
- 坚固的XPT设计（极轻穿通）带来以下效果：短路额定时间为10 μs；栅极电荷非常低；在3倍IC时具有方形反向偏置安全工作区；低电磁干扰
- 薄晶圆技术与XPT设计相结合，实现了具有竞争力的低V_CE(sat)
- SONIC™二极管：快速且软反向恢复；工作正向电压低
应用领域
交流电机驱动、太阳能逆变器、医疗设备、不间断电源、空调系统
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