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BSC112N06LDATMA1实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

BSC112N06LDATMA1

2个N沟道 耐压:60V 电流:57A

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描述
特性：双N沟道、逻辑电平、快速开关MOSFET，适用于开关电源。 针对同步整流进行优化的技术。 无铅电镀，符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 完全符合JEDEC工业应用标准
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
BSC112N06LDATMA1
商品编号
C17276078
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.365克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)57A
导通电阻(RDS(on))15.8mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)65W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@28uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC@10V
输入电容(Ciss)4.02nF
反向传输电容(Crss)56pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)770pF

数据手册PDF

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