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BSC112N06LDATMA1
2个N沟道 耐压:60V 电流:57A
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- 描述
- 特性：双N沟道、逻辑电平、快速开关MOSFET，适用于开关电源。 针对同步整流进行优化的技术。 无铅电镀，符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 完全符合JEDEC工业应用标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC112N06LDATMA1
- 商品编号
- C17276078
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 770pF |
商品概述
适用于3100 MHz至3500 MHz频率范围S波段雷达应用的200 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 双N沟道、逻辑电平
- 用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
- 针对同步整流优化的技术
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
应用领域
- 频率范围为3100 MHz至3500 MHz的S波段雷达应用
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- XLL736122.880000X
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- RGF1J-E3/67A
- STMM-125-02-S-D
- SIT1602BI-11-XXE-48.000000