F1180EVBI

本文档描述了F1180双路射频接收器的规格，每条信号路径包含一个带旁路功能的射频放大器、数字步进衰减器和射频混频器。该器件支持以下频率范围：射频为1400MHz至2700MHz，本振为1350MHz至2900MHz，中频为25MHz至400MHz。F1180射频前端在2100MHz下提供16.5dB增益、3.5dB噪声系数和+38dBm输出三阶截点性能。数字步进衰减器通过SPI接口控制器提供30dB、步进为2dB的调整范围。在强信号条件下，每个射频放大器可通过SPI接口配置为内部旁路。射频前端输出和混频器输入信号连接至独立的引脚，以便实现级间镜像抑制滤波。每条双混频器路径提供8.2dB功率增益、10.5dB噪声系数和+35dBm输出三阶截点性能。外部本振信号施加于混频器的本振端口。该器件采用7×7 mm、48引脚薄型四方扁平无引线封装，具有50欧姆单端射频和本振输入阻抗以及200欧姆差分中频输出阻抗，便于集成到接收机链路中。

• 适用于分集/多输入多输出接收机的双路射频放大器、数字步进衰减器、射频混频器和中频放大器
• 射频频率范围：1400MHz至2700MHz
• 本振频率范围：1350MHz至2900MHz
• 中频频率范围：25MHz至400MHz
• 可旁路的射频放大器，用于应对阻塞信号
• 射频前端功率增益为16.5dB
• 射频前端输出三阶截点为+38dBm（旁路关闭）
• 射频前端输出三阶截点为+40dBm（旁路开启）
• 在2100MHz下前端噪声系数为3.5dB
• 混频器功率增益为8.2dB
• 混频器输出三阶截点为+35dBm
• 射频和本振阻抗为50欧姆
• 差分中频输出阻抗为200欧姆
• 独立的通道A、通道B路径待机模式
• 30dB增益控制范围，2dB步进
• 3位SPI控制
• 典型电流消耗为365mA
• 采用7×7 mm、48引脚VFQFPN封装