EVAL-CN0377-EB1Z

Circuits from the Lab参考设计经过精心设计和测试，便于快速轻松地进行系统集成，有助于解决当今模拟、混合信号和射频设计挑战。该电路使用RF MEMS开关在两个表面贴装RF衰减器和两条直通路径之间路由RF信号。衰减RF信号常用于RF测试仪器和接收器前端，以保护下游电路并增加动态范围。ADGM1304单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关背对背配置可在输入和输出之间实现四条独立可切换路径，两条为直通传输线，第三条包含6 dB衰减器，第四条包含9 dB衰减器。ADGM1304开关具有超低插入损耗和高线性度，典型插入损耗在2.5 GHz时为0.26 dB，三阶截点（IP3）典型性能为69 dBm，还能工作到真正的直流。其尺寸为4 mm × 5 mm × 0.95 mm，相比传统机电继电器开关解决方案可显著减少印刷电路板（PCB）面积，驱动速度为30 μs，驱动寿命保证达10亿次循环，可提高系统整体可靠性。

• ADGM1304开关在2.5 GHz时典型插入损耗为0.26 dB
• ADGM1304开关三阶截点（IP3）典型性能为69 dBm
• ADGM1304开关能工作到真正的直流
• ADGM1304开关尺寸为4 mm × 5 mm × 0.95 mm
• ADGM1304开关驱动速度为30 μs，驱动寿命保证达10亿次循环

• RF测试仪器
• 接收器前端