BUK7575-100A,127
1个N沟道 耐压:100V 电流:23A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7575-100A,127
- 商品编号
- C17275442
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 187mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 99W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。采用专有平面条纹设计,具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低 Crss “米勒” 电容实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率,从而实现低电磁干扰和可靠的并联,即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 低导通电阻,传导损耗低
- 符合Q101标准
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求较高的环境
应用领域
- 12 V、24 V和42 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管
其他推荐
- QTM750-80.000MBE-T
- 9025980000
- MAX8530ETT8J-T
- DF1B-18S-2.5R
- ASFL1-14.31818MHZ-L-T
- 3QHM53C0.5-27.270
- XHP50D-H0-0000-0D0BJ20CB
- GBPC2506-G
- 1001-0-15-80-30-27-04-0
- SIT8208AC-31-28E-38.000000
- SG-8018CA 93.0000M-TJHPA0
- 81251
- MPI-250-10
- 2005210-2
- XHP50D-H0-0000-0D0BJ20E2
- 5-641241-5
- 620AS003M10
- 516-056-520-312
- MLBAWT-U1-0000-000VAA
- 620DS054M16
- SIT9365AC-1E3-25E250.000000
