SQJB00EP-T1_BE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJB00EP-T1_BE3
- 商品编号
- C17274873
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
一款300 W的LDMOS射频功率晶体管,适用于HF至500 MHz频段的广播应用以及工业、科学和医疗应用。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
- SG-8018CA 4.6370M-TJHPA0
- 550T003M3F0B0F04
- SG-8018CE 21.7600M-TJHSA0
- 628-13W6224-4ND
- 2-6609129-2
- MNS2-9-W2-TS-TC-KT
- 14-6625-71
- SG-8018CE 31.6440M-TJHSA0
- 0333-0-42-80-34-80-10-0
- SIT1602BC-12-18S-54.000000
- JB5630AWT-C0-0000-000A0UC550E
- S4006DS2TP
- ON5233,118
- 660-024B09G10-04
- SPMWH1228FD7WAUMSG
- SZP30388-7RL
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- ADPA9002-EVALZ
- 628-13W3624-1N6
- 2317222-4
- SIT9365AC-2B1-28N30.720000

