BLP10H630PGY
BLP10H630PGY
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLP10H630PGY
- 商品编号
- C17274582
- 商品封装
- HSOP-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.08pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 5.3pF |
商品概述
ALD1108E/ALD1110E是单片四通道/双通道EPAD（电可编程模拟器件）N沟道MOSFET，其阈值（开启）电压可电调节。ALD1108E/ALD1110E在工厂进行了匹配和调整（电微调），使得四通道/双通道MOSFET在阈值电压和其他电气特性方面高度匹配。对于给定的输入电压，MOSFET器件的阈值电压决定其漏极导通电流，从而产生可通过输入电压精确预设并控制的导通电阻特性。 使用ALD1108E/ALD1110E简单直接。这些MOSFET作为N沟道MOSFET工作，不同之处在于所有器件在电气特性上彼此具有出色的匹配性。由于这些器件集成在同一单片芯片上，它们还具有出色的温度系数匹配特性。 这些MOSFET器件的输入电流非常低，因此输入阻抗非常高（>10^12欧姆）。来自控制源的栅极电压可以驱动多个MOSFET输入，几乎没有负载效应。在精密电流镜或电流倍增器应用中使用时，它们可提供100nA至3mA范围内的电流源，并且温度系数可为正、负或零。
商品特性
- 易于进行功率控制
- 集成双面ESD保护,可实现C类操作并完全关断晶体管
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计(HF至1000 MHz)
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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