ECH8619-TL-E
ECH8619-TL-E
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- 品牌名称
- PANASONIC(松下)
- 商品型号
- ECH8619-TL-E
- 商品编号
- C17271476
- 商品封装
- ECH-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
适用于基站应用的160 W LDMOS晶体管，工作频率范围为1880 MHz至2025 MHz。
商品特性
- ECH8619集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性,从而可实现高密度安装。
- 4V驱动。
应用领域
- 用于1880 MHz至2025 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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