MX2N5116UB/TR
MX2N5116UB/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MX2N5116UB/TR
- 商品编号
- C17270203
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
商品特性
- 对称几何结构允许这些单元在源极/漏极引线互换的情况下工作。
- 当环境温度TA > +25°C时,以3.0 mW/°C的速率线性降额。
- 封装:陶瓷。
- 引脚:镀镍底层上镀金。仅商业级提供符合RoHS标准的哑光/镀锡。
- 标记:产品编号、日期代码、制造商标识。
- 卷带包装选项:符合EIA - 418D标准。具体数量咨询厂家。
- 重量:<0.04克。
- RCS2012F7150CS
- 54CAD-E28-B13/P50L
- SG-8018CB 121.5000M-TJHPA0
- SG-8018CG 62.497656M-TJHSA0
- SG-8018CG 13.5400M-TJHPA0
- 0738380003
- M83723/60-122RT
- TSW3065EVM
- SG-8018CA 12.2700M-TJHSA0
- 660-008NF08S5-01
- 627-25W3622-7NA
- NTCLE101E3104SB0
- 105-681K
- SIT8209AI-23-33S-166.600000
- 360-10-155-00-001000
- TFM-135-02-H-D-A
- SG-8018CE 167.772160M-TJHPA0
- 0026486174
- 3QHM572C0.25-55.000
- 531AA100M000DG
- XLH736120.000000X

