TH58NVG3S0HBAI6
TH58NVG3S0HBAI6
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- 描述
- TH58NVG3S0HBAI6是一款单3.3V 8Gbit (9,126,805,504 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM),组织为(4096+256)字节×64页×4096块。支持高速编程和擦除,适用于高可靠性应用。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TH58NVG3S0HBAI6
- 商品编号
- C17270105
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;读缓存功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
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