W29N04GVSIAF TR
W29N04GVSIAF TR
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- 描述
- W29N04GV是一款4Gbit的3.3V NAND FLASH存储器,适用于低功耗应用。其组织结构为512MB,每个块包含64个可编程页面,每个页面大小为2112字节(2048 + 64字节)。支持单级单元(SLC)技术,提供高速读写性能和低功耗。
- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N04GVSIAF TR
- 商品编号
- C17269820
- 商品封装
- TFSOP-48-18.4mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;读缓存功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
- 9001KR25RH6
- 14910F0GBSX10105KA
- CTSPMA6012F-1R0M
- SG-8018CB 49.4233M-TJHSA0
- 2701-4-01-80-00-00-07-0
- P1330R-332H
- VS-VSKN41/08
- 510CCA66M6660CAG
- SIT8008BI-12-33E-49.090900
- GRF4.0022.013.C
- SIT8209AI-32-33E-166.000000
- M22XP-ASF11-E30-Y
- SG-8018CB 34.4347M-TJHPA0
- 172-050-283L031
- 3QHM53C0.5-115.000
- SIT8208AI-82-25S-6.000000
- MAX893LESA+T
- TSP-D2AA2-M21
- DEV-15442
- TFM-125-02-S-D-A-P-TR
- L128-4080EA3500001

