IMB7AT108
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
- SMT封装的两个DTA143T芯片。
应用领域
- 视听设备
- 办公自动化设备
- 通信设备
- 电器
- 电子玩具
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