商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 100mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 1.5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 3us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 总功耗(Pd) | 350mW |
商品特性
- 电流传输比(CTR:在 lF = 10mA、VCE = 10V、Ta = 25℃ 时,最小值为 100%)
- 高输入 - 输出隔离电压 4N35 系列:Viso = 3,550Vrms 4N37 系列:Viso = 1,500Vrms
- 响应时间(tr:在 Vcc = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时,典型值为 3μs)
- 双列直插式封装:4N35、4N37
- 宽引脚间距封装:4N35M、4N37M
- 表面贴装封装:4N35S、4N37S
- 卷带包装:4N35S - TA、4N37S - TA、4N35S - TA1、4N37S - TA1
- 安全认证 * UL 认证(编号 E113898) * CSA 认证(编号 CA91533 - 1) * FIMKO 认证(编号 193422 - 01) * VDE 认证(编号 40015248) * BSI 认证(编号 9018 - 9) * CQC 认证(编号 CQC11001061921 - 2)
- 爬电距离 > 8.0mm;电气间隙 > 8.0mm
- 相关型号为根据 DIN EN 60747 - 5 - 5 获得 VDE 认证的型号 认证型号编号:4N35 - V / 4N37 - V / 4N35M - V / 4N37M - V / 4N35S - V / 4N37S - V / 4N35STA - V / 4N37STA - V / 4N35STA1 - V / 4N37STA1 - V VDE 认证编号:40015248(根据规范 DIN EN 60747 - 5 - 5)
- 工作隔离电压 VIORM:420V(峰值)
- 瞬态电压 VTR:6000V(峰值)
- 污染等级:2(根据 VDE 0110 - 1:1997 - 04)
- 电气间隙(输入与输出之间):7.0mm(最小值)
- 爬电距离(输入与输出之间):7.0mm(最小值)
- 输入与输出之间的隔离厚度:0.4mm(最小值)
- 安全限值 电流(Isi):400mA(二极管侧) 功率(Psi):700mW(光电晶体管侧) 温度(Tsi):175℃
- VDE 认证标识在套管封装上印有“ ”。
- 符合 RoHS 标准 器件中使用的所有材料均符合欧盟 RoHS 指令(编号 2002/95/EC)。ESD 通过 HBM 8000V/MM2000V,MSL 等级 1
应用领域
- 电源稳压器
- 数字逻辑输入
- 微处理器输入
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