- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RN1703JE(TE85L,F)
硅NPN外延型（PCT工艺）内置偏置电阻晶体管
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- 描述
- 特性：两个器件集成在一个超小型（5引脚）封装中。 在晶体管中集成偏置电阻可减少元件数量。减少元件数量能够制造更紧凑的设备并降低组装成本。 有多种电阻值可供选择，用于各种电路设计。 与RN2701JE至RN2706JE互补。应用：开关电路。 逆变器电路
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1703JE(TE85L,F)
- 商品编号
- C17268089
- 商品封装
- SOT-553
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置(发射极耦合) | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 70 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@5mA,200mV | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.5V | |
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 两个器件集成在一个超小型（5引脚）封装中。
- 将偏置电阻集成到晶体管中可减少元件数量。减少元件数量有助于制造更紧凑的设备并降低组装成本。
- 提供多种电阻值，适用于各种电路设计。
- 与RN2701JE至RN2706JE互补。
应用领域
- 开关
- 反相器电路
- 接口电路
- 驱动电路
- K86X-CD-62S-K30
- OCETGLKANF-20.000000
- 334-90-122-00-000000
- CWN-520-20-0021
- 167V7
- S325025T-32.768K-R
- 638-062-630-042
- S-1701D3026-U5T1G
- MK-043R
- 628-5W5-624-4ND
- IS43R16160D-6BLI-TR
- 629-M37-340-BT1
- L4008R6TP
- SIT8208AC-8F-18E-19.200000X
- SIT9365AI-4B1-28E125.000000
- 06AN2D
- 660-031NF13N
- HTST-120-01-T-DV-A-P-TR
- SIT9365AI-1B1-28N212.500000
- 2226.0/100
- 0555-0-15-80-32-84-10-0