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RN1703JE(TE85L,F)
硅NPN外延型（PCT工艺）内置偏置电阻晶体管
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- 描述
- 特性：两个器件集成在一个超小型（5引脚）封装中。 在晶体管中集成偏置电阻可减少元件数量。减少元件数量能够制造更紧凑的设备并降低组装成本。 有多种电阻值可供选择，用于各种电路设计。 与RN2701JE至RN2706JE互补。应用：开关电路。 逆变器电路
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1703JE(TE85L,F)
- 商品编号
- C17268089
- 商品封装
- SOT-553
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置(发射极耦合) | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 70@10mA,5V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.5V | |
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |