商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 748nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.6nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5 电源连接器
- 高度集成
应用领域
- 交流开关
- 开关模式电源
- 不间断电源
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