SP8M10FRATB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4.5A 电流:7A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- SP8M10FRATB
- 商品编号
- C17265026
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@10V；600pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
适用于基站应用的240 W LDMOS功率晶体管，在2110 MHz至2200 MHz频率范围内具有增强的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 出色的视频带宽，可实现全频段操作
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 专为低记忆效应设计，具有出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于2110 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器
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