- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 70V | |
| 耗散功率(Pd) | 290W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 10 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 5mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
该微波脉冲功率硅NPN晶体管专为短脉冲塔康（TACAN）、敌我识别（IFF）和测距设备（DME）发射机中的B类和C类共基极放大器应用而设计。
商品特性
- 保证在1090 MHz、50 V直流下的性能
- 输出功率 = 90 W峰值
- 最小增益 = 8.4 dB
- 针对所有相位角下10:1电压驻波比（VSWR）的负载失配进行100%测试
- 采用行业标准封装
- 采用氮化物钝化处理
- 采用镀金金属化处理，使用寿命长，抗金属迁移
- 内部输入匹配，实现宽带操作
应用领域
短脉冲塔康（TACAN）发射机、敌我识别（IFF）发射机、测距设备（DME）发射机