商品参数
参数完善中
商品特性
- 非反射式50 Ω设计
- 低插入损耗:4 GHz时为1.5 dB
- 高隔离度:4 GHz时为50 dB
- 高输入线性度0.1 dB压缩点(P0.1dB):典型值34 dBm
- 三阶交调截点(IP3):典型值57 dBm
- 85℃时的高功率处理能力:通过路径33 dBm,终止路径27 dBm
- ESD等级3.5 kV HBM,Class 2
- 单电源或双电源工作
- 可选内部负电压生成器(NVG)
- 1.8 V逻辑兼容控制
- 4 mm x 4 mm,24引脚LFCSP
应用领域
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测试设备
- M85528/3-1201
- XBDAWT-02-0000-00000HBF7
- SIT1602BC-13-25E-33.300000
- SIT1602BI-11-25E-35.840000
- SIT1602BI-72-XXN-48.000000
- NTE5334SM
- SIT8208AC-3F-33S-4.000000X
- DCL27W2P300G1DLF
- SIT9365AI-4E3-28E100.000000
- L128-2280HA35000B4
- SIT1602BC-13-30E-65.000000
- SIT8208AI-23-18E-30.000000
- XQEAWT-00-0000-00000HDF7
- 172-015-243R051
- BPSD00100954820M00
- L130-5095001400001
- S8012NRP
- SIT1602BI-21-YYN-38.400000
- D38999/32Z21N
- C22F.0001
- 15290362502000

