商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
单封装内集成低VCEsat PNP晶体管和带电阻NPN晶体管。
商品特性
- 单封装内集成低VCEsat（BISS）晶体管和带电阻晶体管
- 与MOSFET相比，“阈值”电压低（< 1V）
- 所需驱动功率低
- 节省空间的解决方案
- 减少元件数量
应用领域
-电源线开关-电池充电器开关-用于LED、驱动器和背光灯的高端开关-便携式设备
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