- 引脚图
- 焊盘图
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APT25GLQ120JCU2
APT25GLQ120JCU2
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT25GLQ120JCU2
- 商品编号
- C17261940
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 45A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 50A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.43nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 115pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 85pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 130ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 300ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽 + 场截止快速IGBT 4技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 低漏电流，RBSOA和SCSOA额定
- 升压SiC肖特基二极管零反向恢复
- 零正向恢复
- 温度无关的开关特性
- VF正温度系数
- ISOTOP封装（SOT - 227）
- 极低的杂散电感
- 高集成度
- 低传导损耗
- 稳定的温度特性
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 低结到外壳热阻
- 由于VCEsat的正TC，易于并联
- 符合RoHS标准
应用领域
交流和直流电机控制、开关模式电源、功率因数校正制动开关