商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 3.5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 30mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- 334-90-134-00-000000
- 057-3379-000
- SG-8018CE 2.3864M-TJHSA0
- IPD1-08-S
- CE3390-25.000
- SIT1602AI-12-33E-66.000000
- SIT8208AC-2F-33E-33.333300X
- SG-8018CA 143.0000M-TJHSA0
- 630-2WK2650-1NE
- TST-106-04-L-S-RA
- 15SH-B-10-TR-SMT-T/R
- SQG32P3A271N-212.500M
- T707043054BY
- 660-013M17H5-209
- SIT9365AI-4E3-25N148.351648
- 3QHM572C2.0-122.880
- SIT1602BC-82-18S-19.200000
- 0449145803
- AEK-GNL1-NSP
- B82144A2682K000
- SE8D30DHM3/H