- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ4949EY-T1_GE3
2个P沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4949EY-T1_GE3
- 商品编号
- C17256653
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC - Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 25QHM53C1.5-165.000
- XHP50D-H0-0000-0D0HH20DT
- JC26C2-FSH16E
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- 2002771106
- 1784760000
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- M80-8790322
- SIT8008BC-83-33N-25.000000
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