商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 10V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 175mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- SIT8208AI-83-25E-33.600000
- FGG.4B.555.ZZC
- 370-10-112-00-001000
- 620AS008-18K
- T607121534BT
- 09300105406
- BLU1206-6040-BT25W
- 8-6609955-5
- 23ESA473MMF50AF
- 660-004M12G6-52
- FR-SAB-0-002
- SIT1602BC-73-33N-38.000000
- SIT1602BI-73-XXE-66.000000
- SIT1602BC-23-28E-24.576000
- SG-8018CB 50.2933M-TJHPA0
- 2907384
- GT13SH-2/1S-R
- 2-1445090-7
- SIT9365AI-4B2-28N159.375000
- FASAS10SFR
- 8D719F11BA

