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SFH6186-4

光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流

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描述: SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SFH6186-4
商品编号: C17253776
商品封装: SMD-4P
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	晶体管输出光耦
	输入类型	DC
	输出类型	光电三极管
	正向压降(Vf)	1.1V
	输出电流	50mA
	隔离电压(Vrms)	5.3kV
	直流反向耐压(Vr)	6V
	负载电压	55V
	输出通道数	1

	属性	参数值
	集射极饱和电压(VCE(sat))	250mV@0.8mA,1mA
	上升时间(tr)	3.5us
	下降时间	5us
	工作温度	-55℃~+100℃
	电流传输比(CTR)最小值	160%
	电流传输比(CTR)最大值/饱和值	320%
	总功耗(Pd)	150mW
	正向电流(If)	60mA
	功能特性	-

商品概述

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器引脚间距为 2.54 mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8 mm。

商品特性

正向电流相关的良好 CTR 线性度
低 CTR 衰减
无铅
高集电极 - 发射极电压，VCEO = 55 V
隔离测试电压，5300 VRMS e3
低耦合电容
符合 RoHS 标准
可端部堆叠，间距 0.100"（2.54 mm）
高共模瞬态抗扰度

应用领域

电信
工业控制
电池供电设备
办公设备

数据手册PDF

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