商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
这些开发板采用半桥拓扑结构,配备板载栅极驱动器,采用EPC2030/31 eGaN场效应晶体管(FET)。这些开发板的目的是简化这些eGaN FET的评估过程,将所有关键组件集成在一块板上,可轻松连接到任何现有的转换器中。开发板尺寸为2英寸×2英寸,采用德州仪器LM5113栅极驱动器,在半桥配置中包含两个eGaN FET、电源和旁路电容。该板包含所有关键组件和布局,以实现最佳开关性能,并留有额外区域用于添加降压输出滤波组件。还有各种探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。
- 5530222003F
- TFML-135-02-L-D-LC-K-TR
- SIT1602BC-21-18N-72.000000
- MS-320-3-1-0500
- RD50M10HV50/AA
- SIT1602BI-23-XXS-33.330000
- CMB1304-0000-000N0H0A40G
- SK-GEN4-50D-CLB-SB
- 3-2842272-0
- IMSA-13065B-2-28Y902
- 750871830
- MOP-GL24064R-BSSX-22N-3IN
- SIT8008AI-83-33E-24.000000
- TFM-115-01-S-S-WT
- 2102077-1
- 1053092206
- BXFN-40G-21L-3C4-00-0-0
- SIT8208AI-31-25E-66.600000
- 516-056-500-362
- 25QHM572C1.0-6.780
- SG-8018CB 24.5450M-TJHSA0

