商品概述

SAB MOSFET采用经过生产验证的EPAD技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器，也称为超电容器或超级电容，通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合，可以实现串联连接时的漏电流平衡，以防止过电压。 ALD810026为四个SAB MOSFET器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性。它可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910026为其两个SAB MOSFET器件中的每一个都有一组独特的精密工作电气特性，适用于多达两个串联连接的超级电容器。每个SAB MOSFET在Vt模式下具有精确的栅极阈值电压，当栅 - 漏源极端子（VGS = VDS）在漏源电流IDS(ON)=1μA时连接在一起时，该电压为2.60V。不同的VIN会产生输出电流IOUT = IDS(ON)特性，并形成一个有效可变电阻，其阻值随VIN呈指数变化。当该VIN连接到串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流控制在其极限范围内。 ALD810026/ALD910026导通电阻的电压相关特性在控制连接的超级电容器两端的过电压上升方面非常有效。在串联的超级电容器组中，当一个超级电容器的电压上升时，其他超级电容器的电压会下降，漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的SAB MOSFET会呈现互补的相反电流水平，除了超级电容器自身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。

商品特性

采用SMT封装的两颗RHU002N06芯片。
可使用SMT3自动贴装机进行贴装。
晶体管元件相互独立,消除干扰。
贴装成本和面积可减半。

应用领域

串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配电流镜和电流源-零功耗模式最大电压限制器-扩展的超级电容器组和阵列

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	200mA
	导通电阻(RDS(on))	4Ω@4V
	耗散功率(Pd)	200mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	2.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	4pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	8pF

SM6K2T110

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