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SSM6L16FETE85LF

1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:100mA

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品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: SSM6L16FETE85LF
商品编号: C17249537
商品封装: SOT-563(SOT-666)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

商品概述

MwT-PH4F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为180微米，非常适合在高达28 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并经过钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

在18 GHz时功率为23 dBm
在18 GHz时典型小信号增益为14 dB
在18 GHz时典型功率附加效率为45%
0.25 x 180微米难熔金属/金栅极
非常适合高增益和高功率附加效率应用

应用领域

商业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	100mA
	导通电阻(RDS(on))	-

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	150mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.1V@0.1mA
	输入电容(Ciss)	9.3pF@3V
	工作温度	-
	类型	N沟道+P沟道