- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S80KS2563GABHA023
256 Mb HYPERRAM自刷新动态随机存取存储器，带八进制xSPI接口，1.8V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S80KS2563GABHA023
- 商品编号
- C17249250
- 商品封装
- FBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16565克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 接口：
- xSPI（八进制）接口
- 支持1.8V接口
- 单端时钟（CK） - 11条总线信号
- 可选差分时钟（CK、CK#） - 12条总线信号
- 片选（CS#）
- 8位数据总线（DQ[7:0]）
- 硬件复位（RESET#）
- 双向读写数据选通（RWDS）
- 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
- 在读取事务期间作为读取数据选通输出
- 在写入事务期间作为写入数据掩码输入
- 性能、功耗和封装：
- 最高时钟频率200MHz
- DDR - 在时钟的两个边沿传输数据
- 数据吞吐量高达400MBps（3200Mbps）
- 可配置突发特性
- 线性突发
- 环绕突发长度：16字节（8个时钟）、32字节（16个时钟）、64字节（32个时钟）、128字节（64个时钟）
- 混合选项 - 一个环绕突发后接线性突发
- 可配置输出驱动强度
- 电源模式：混合睡眠模式、深度掉电
- 阵列刷新：部分内存阵列（1/8、1/4、1/2等）、全阵列
- 封装：24球FBGA
- 工作温度范围：
- 工业级（I）：-40°C至+85°C
- 工业增强级（V）：-40°C至+105°C
- 汽车级，AEC - Q100 3级：-40°C至+85°C
- 汽车级，AEC - Q100 2级：-40°C至+105°C
- 汽车级，AEC - Q100 1级：-40°C至+125°C
- 技术：25纳米DRAM
- VPP28-360
- M85049/85-08W02
- S-5844A50CB-M5T1U3
- M83723/59-116ZC
- 09670007470
- SG-8018CE 156.2540M-TJHPA0
- SIT8209AI-33-25E-133.333333
- AWVC00606028100T00
- 714-83-135-41-001101
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- SG-8018CB 112.2400M-TJHSA0
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- 701-040
- DD11.0123.1110
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