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UCC21755QDWRQ1

用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的汽车级有源保护、隔离式模拟传感和高共模瞬态抗扰度（CMTI）单通道增强型隔离式源极/漏极栅极驱动器

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描述: UCC21755-Q1是一款电流隔离型单通道栅极驱动器，专为最高2121V直流工作电压的碳化硅（SiC）MOSFET和IGBT而设计，具备先进的保护特性、同类最佳的动态性能和高可靠性。UCC21755-Q1的峰值源电流和灌电流最高可达±10A。输入侧与输出侧采用二氧化硅（SiO₂）电容隔离技术进行隔离，支持最高1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过40年，同时具有低的器件间偏差和大于150V/ns的共模噪声抗扰度（CMTI）。UCC21755-Q1具备先进的保护特性，如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源欠压锁定（UVLO），可优化SiC和IGBT的开关性能和可靠性。隔离式模拟转PWM传感器可用于更便捷的温度或电压检测，进一步提高驱动器的通用性，简化系统设计工作、减小尺寸并降低成本。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC21755QDWRQ1
商品编号: C17249176
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.304064克(g)

商品参数

商品概述

UCC21755-Q1是一款电流隔离型单通道栅极驱动器，专为最高2121V直流工作电压的碳化硅（SiC）MOSFET和IGBT而设计，具备先进的保护特性、同类最佳的动态性能和高可靠性。UCC21755-Q1的峰值源电流和灌电流最高可达±10A。输入侧与输出侧采用二氧化硅（SiO₂）电容隔离技术进行隔离，支持最高1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过40年，同时具有低的器件间偏差和大于150V/ns的共模噪声抗扰度（CMTI）。 UCC21755-Q1具备先进的保护特性，如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源欠压锁定（UVLO），可优化SiC和IGBT的开关性能和可靠性。隔离式模拟转PWM传感器可用于更便捷的温度或电压检测，进一步提高驱动器的通用性，简化系统设计工作、减小尺寸并降低成本。

商品特性

5.7kVRMS单通道隔离栅极驱动器
通过AEC-Q100认证，结果如下：
- 器件温度等级0：环境工作温度范围为-40℃至+150℃
- 器件人体模型（HBM）静电放电（ESD）分类等级为3A
- 器件带电器件模型（CDM）静电放电（ESD）分类等级为C6
提供功能安全质量管理文档，有助于功能安全系统设计
适用于最高2121Vpk的SiC MOSFET和IGBT
最大输出驱动电压（VDD - VEE）为33V
驱动能力为±10A，采用分离式输出
最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为150V/ns
具有200ns响应时间的快速去饱和（DESAT）保护，阈值为5V
内置4A有源米勒钳位
故障发生时400mA软关断
带PWM输出的隔离式模拟传感器，可用于：
- 使用负温度系数（NTC）、正温度系数（PTC）热敏电阻或热敏二极管进行温度检测
- 高压直流母线或相电压检测
过流时发出告警信号（FLT），可通过RST/EN引脚复位
RST/EN引脚实现快速使能/禁用响应
可抑制输入引脚小于40ns的噪声瞬变和脉冲
12V VDD欠压锁定（UVLO），RDY引脚指示电源正常
输入/输出具备最高5V的过冲或欠冲瞬态电压抗扰度
最大传播延迟为130ns，最大脉冲/器件偏差为30ns
采用SOIC-16 DW封装，爬电距离和电气间隙大于8mm
工作结温范围为-40℃至150℃

应用领域

电动汽车牵引逆变器
车载充电器和充电桩
混合动力/电动汽车DC/DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	2121
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~5.5V
	拉电流(IOH)	10A
	灌电流(IOL)	10A

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	静态电流(Iq)	3mA
	CMTI(kV/us)	150kV/us
	驱动侧工作电压	13V~33V