SLG59H1017V

SLG59H1017V 是一款高性能的 13.3 mΩ NMOS 负载开关，设计用于控制高达 4 A 的 12 V 或 24 V 电源轨。该器件采用专有的 MOSFET 设计，可在宽输入电压范围内实现稳定的 13.3 mΩ RDSON。通过结合新颖的 FET 设计和铜柱互连技术，SLG59H1017V 封装还展现出适用于大电流操作的低热阻特性。该器件设计工作温度范围为 -40°C 至 85°C，采用符合 RoHS 标准的低热阻 1.6×3.0 mm STQFN 封装。

• 宽工作输入电压：12 V 或 24 V
• 最大连续电流：4 A
• 自动 nFET SOA 保护
• 10 W SOA 保护阈值
• 高性能 MOSFET 开关，低 RDSON：在 VIN = 24 V 时为 13.3 mΩ，低 ΔRDSON/ΔVIN；< 0.05 mΩ/V，低 ΔRDSON/ΔT；< 0.06 mΩ/°C
• 引脚可选 12V/24V 输入过压和欠压锁定
• 电容可调浪涌电流控制
• 两级电流限制保护：电阻可调有源电流限制，内部短路电流限制
• 开漏 FAULT 信号指示
• 模拟 MOSFET 电流监控输出：10 µA/A
• 快速 4 kΩ 输出放电
• 无铅/无卤素/RoHS 兼容封装

• 电源轨开关
• 多功能打印机
• 大幅面复印机
• 电信设备
• 高性能计算 12 V 和 24 V 点负载配电