TH58NYG3S0HBAI6
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- 描述
- TH58NYG3S0HBAI6 是一款单1.8V 8Gbit (9,126,805,504 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)。组织结构为 (4096 + 256) 字节 × 64 页 × 4096 块。
- 品牌名称
- KIOXIA(铠侠)
- 商品型号
- TH58NYG3S0HBAI6
- 商品编号
- C17248350
- 商品封装
- VFBGA-67(6.5x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 工作温度 | - |
优惠活动
购买数量
(338个/托盘，最小起订量 1 个)个
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