TH58NYG3S0HBAI6

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: TH58NYG3S0HBAI6 是一款单1.8V 8Gbit (9,126,805,504 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)。组织结构为 (4096 + 256) 字节 × 64 页 × 4096 块。
品牌名称: KIOXIA(铠侠)
商品型号: TH58NYG3S0HBAI6
商品编号: C17248350
商品封装: VFBGA-67(6.5x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	100uA
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能
	ECC	有