商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
这些开发板采用单片半桥拓扑结构,板载栅极驱动器,采用 EPC2105 eGaNIC(增强型氮化镓集成电路)。这些开发板的目的是简化这些单片集成 eGaN FET 的评估过程,将所有关键组件集成在一块板上,可轻松连接到任何现有的转换器中。开发板尺寸为 2 英寸×2 英寸,采用德州仪器 LM5113 栅极驱动器,以半桥配置包含一个 eGaNIC、电源和旁路电容。该板包含所有关键组件和布局,以实现最佳开关性能,并留有额外区域用于在板上添加降压输出滤波组件。还有各种探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。
- 006-0912-20 A
- 1809637
- 5787394-8
- M85049/81-10
- SIT1602BI-82-30N-40.000000
- AG930-07E
- 3QHM572D2.0-32.959
- 1301500187
- 1-2058128-2
- SIT9365AI-2B3-33N161.132813
- L128-3080003500000
- P16BP103MAB15
- D38999/22AZ
- 25QHM572D2.0-128.000
- 8LT723Z54SA-LC
- SE20DTLJHM3/I
- SG-8018CB 33.8800M-TJHSA0
- XPGWHT-L1-0000-00JF8
- MX3AWT-A1-R250-000BB2
- 2CH-C-03
- 714-83-135-31-012101

