W29N08GWBIBA TR
8G位1.8V NAND闪存存储器
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- 描述
- W29N08GW/Z(8G-bit)NAND Flash存储器为嵌入式系统提供了有限空间、引脚和功耗的存储解决方案。适用于代码映射到RAM、固态应用和存储媒体数据等。该设备在1.7V至1.95V的单电源下工作,活动电流低至13mA,CMOS待机电流低至20μA。
- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N08GWBIBA TR
- 商品编号
- C17245531
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 35ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
商品概述
W29N08GW/Z(8G位)NAND闪存为空间、引脚和功率有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合将代码映射到RAM、固态应用。
- ISO1176TEVM-433
- 3-794635-6
- SG-8018CB 9.909116M-TJHSA0
- 660-013NF19G4-110
- SIT9365AC-4B1-33N161.132813
- AFBR-57F5AMZ-E2-C
- 3450-0-15-01-18-27-04-0
- 8LT217Z35SN-LC
- XBDAWT-02-0000-000000EE2
- SG-8018CA 83.1250M-TJHPA0
- ELSH-F81Y3-0LPNM-BA3A5
- RSF2B-511-JTW
- XPGWHT-01-0000-00DD5
- CTSPMA5020F-4R7M
- SIT8918AE-83-33E-4.000000
- HCPL-5121-100
- XB4FW34G5
- MS27502B23CL
- M85049/96-37-A
- CTCDRH127/LDF-561M
- TFM-110-01-S-S-P
