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IXTA02N250HV
耐压:2500V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：高压封装。 高阻断电压。 快速本征二极管。 低封装电感。 易于安装。 节省空间。应用：高压电源。 电容放电
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTA02N250HV
- 商品编号
- C17244702
- 商品封装
- TO-263AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 2.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 116pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
适用于基站应用的200 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为1805 MHz至1990 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻（Rth），提供出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（1805 MHz至1990 MHz）
- 较低的输出电容，可提升Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）2002/95/EC
应用领域
- 适用于1805 MHz至1990 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器
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