- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV32UP/MI215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 930mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 额定漏源导通电阻对应1.8 V
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 继电器驱动器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路
- JANHCB1N6642
- SIT9365AE-2B2-25E125.000000
- M39029/4-112
- TFM-125-01-H-D-RE2-WT
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- TMIM 322512A-R47MG
- BPRR001010416R8TA0
- 0901230107
- 1N1184AR
- D38999/22JW
- SIT8208AI-33-28E-74.250000
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