PJQ4606_R1_00001
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7.6A 电流:23A 电流:20A 电流:6.7A
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ4606_R1_00001
- 商品编号
- C17244238
- 商品封装
- DFN3030-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 846pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
ALD210808A/ALD210808精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些四通道单片器件是ALD110808A/ALD110808 EPAD MOSFET系列的增强版，具有更高的正向跨导和输出电导，特别是在非常低的电源电压下。 ALD210808A/ALD210808适用于低电压、低功耗的小信号应用，其特点是具有精确的阈值电压，可在更高的工作电压范围内设计输入/输出信号参考地的电路。使用这些器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源/偏置电压下工作。例如，使用这些器件已成功构建了一个电源电压低于1.0V的微功耗输入放大器级。 ALD210808A EPAD MOSFET的栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.80V ± 0.01V（IDS = +10μA，VDS = 0.1V），典型失调电压仅为± 0.001V（1mV），具有出色的配对电气特性。它们集成在单个单片芯片上，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常开电路。 除了精密的配对电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件的失调电压和差分热响应极小，可用于+0.1V至+10V（± 0.05V至± 5V）供电系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.80V时，器件呈现增强模式特性；当VGS < +0.80V时，器件在亚阈值电压区域工作，呈现传统的亚阈值特性，关断和亚阈值电平控制良好，与标准增强模式MOSFET的工作方式相同。 ALD210808A/ALD210808具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。在25°C下，漏极输出电流为30mA、输入电流为300pA时，直流电流增益的示例计算结果为30mA / 300pA = 100,000,000，这意味着动态工作电流范围约为八个数量级。
商品特性
- 高开关速度
- 改善的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
应用领域
- 低开销电流镜和电流源-零功耗常开电路-能量收集检测器-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-极低电平电压钳位-极低电平过零检测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值检测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-分立匹配模拟开关/多路复用器-微功耗分立电压比较器