- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 108V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
一款1000 W的LDMOS射频功率晶体管,适用于非对称广播Doherty发射机应用,可在180 W的DVB - T平均功率下工作。该器件出色的耐用性使其非常适合400 MHz至860 MHz频率范围内的数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 专为非对称Doherty工作模式设计
- 极高的效率,可实现风冷高功率发射机
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
应用领域
- UHF频段的广播发射机应用
- 数字广播
- 适用于400 MHz至860 MHz的频率范围
- ZST-107-04-L-D-785
- SIT1602BC-71-18S-30.000000
- BPSD00100940390K00
- 172213-8
- SG-8018CB 7.4700M-TJHPA0
- 1511181244
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- SIT8208AC-GF-28E-38.000000Y
- 176283-2
- SG-8018CE 40.5000M-TJHPA0
- XQEGRN-H0-0000-000000B03
- GP55-22R6-FBW
- SG-8018CB 57.6920M-TJHSA0
- TSS-110-01-T-S
- AFCT-5760ATLZ-C
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- SG-8018CG 45.5840M-TJHSA0
- DD26M2S00Z
- SXO32C3B171-100.000M
- SIT1602BI-12-XXS-74.250000
- SIT1602AI-21-33E-48.000000