商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 60mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
专为频率高达175 MHz的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。
商品特性
- 增强的热性能
- 更高的功率耗散
- 在30 MHz、50 V下保证性能：
- 输出功率 — 150 W
- 增益 — 18 dB（典型值22 dB）
- 效率 — 40%
- 在175 MHz、50 V下的典型性能：
- 输出功率 — 150 W
- 增益 — 13 dB
- 低热阻
- 在额定输出功率下进行耐用性测试
- 采用氮化物钝化芯片，提高可靠性
应用领域
- 宽带商业应用-调频广播-电视频道频段
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