商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 128A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,75A | |
| 输入电容(Cies) | 7.04nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 在800V、20A条件下可实现50kHz运行
- 低栅极电荷
- 在800V、44A条件下可实现20kHz运行
- 超快速尾电流关断
- 具有RBSOA额定值