商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 增强的热性能
- 更高的功率耗散
- 在30 MHz、50 V下保证性能:
- 输出功率 — 150 W
- 增益 — 18 dB(典型值22 dB)
- 效率 — 40%
- 在175 MHz、50 V下的典型性能:
- 输出功率 — 150 W
- 增益 — 13 dB
- 低热阻
- 在额定输出功率下进行耐用性测试
- 采用氮化物钝化芯片,提高可靠性
应用领域
-宽带商业应用-调频广播-电视频道频段
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