商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 30mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| FET类型 | P沟道 |
商品特性
- 对称几何结构允许这些单元在源极/漏极引线互换的情况下工作。
- 当环境温度TA > +25°C时,以3.0 mW/°C的速率线性降额。
- 封装:陶瓷。
- 引脚:镀镍底层上镀金。仅商业级提供符合RoHS标准的哑光/镀锡。
- 标记:产品编号、日期代码、制造商标识。
- 卷带包装选项:符合EIA - 418D标准。具体数量咨询厂家。
- 重量:<0.04克。
- GCM2195C1H621FA16D
- MC8020D/AA
- DCMZ8H8SYA197
- XLH735078.125000I
- MS3437C114C
- SIT9365AI-2B2-25E153.600000
- AXM765-10000S-C
- THEVA236
- 628-M15-222-GN2
- SIT8208AI-23-18E-6.000000
- CPPC7L-A3B6-9.210TS
- FTLX3871DCC55-C
- SIT8208AI-G1-18S-72.000000T
- 334-40-120-00-100000
- IXYP15N65C3D1M
- SG-8018CA 25.0125M-TJHSA0
- FGA15N120ANTDTU
- R4310
- XPEBWT-L1-0000-00DF5
- 11_1023-C50-2-2/111_NE-1
- CHT50C3747PNT

