PMT560ENEA,115
PMT560ENEA,115
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMT560ENEA,115
- 商品编号
- C17238431
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 715mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 112pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护>2 kV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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