- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G150N50W4E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF衰减器 | |
| 频率 | 0GHz~3GHz | |
| 功率 | 150W | |
| 阻抗 | 50Ω | |
| 衰减值 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 衰减步长 | - | |
| 插入损耗 | - | |
| 功能特性 | - |
商品概述
G150N50W4E是一款高性能的氮化铝（AlN）法兰安装式终端负载，旨在作为氧化铍（BeO）的具有成本竞争力的替代方案。该终端负载非常适合所有蜂窝频段，如AMPS、GSM、DCS、PCS、PHS和UMTS。其高功率处理能力使其非常适合用于环行器终端和功率合成器。该终端负载也符合RoHS标准！
商品特性
- 符合RoHS标准
- 150 W
- 直流 - 3.0 GHz
- 氮化铝陶瓷非镍铬电阻元件，低电压驻波比，100%测试
- 622-009-260-040
- GCM1555C1H6R2DA16J
- SIT9365AC-1B1-30N106.250000
- SIT1602BC-81-18S-40.000000
- CMD6D11BNP-330MC
- UES2605R
- 629-21W4650-1NC
- 5500207002F
- SIT8208AC-21-25S-54.000000
- DLP-IO8-G
- BLF7G20LS-200,112
- VTFT035FXFJ01
- 1301460100
- 68003126-102
- SIT8256AC-32-28E-156.257800
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- DTA124XEFRATL
- EKMC1607111
- RUK2012JR027CS
- 1724470004
- TEM96B-160-160-4.5